IC Circuit Repair

聚焦式离子束显微镜 (FIB) 是利用液相镓 (Ga) 金属的离子源，经由负电场 (Extractor) 牵引尖端细小的镓原子，而导出镓离子束再以电磁透镜聚焦 (Lens1)，经过一连串孔径 (Automatic Variable Aperture, AVA) 决定离子束的能量大小，再经过二次聚焦 (Lens2) 至试片表面，利用物理碰撞来进行特定图案的加工照射于样品表面以取得影像或去除物质。搭配有机气体可进行快速、有效的选择性蚀刻与沉积导体或非导体。其主要应用于IC电路修补(circuit edit)、局部横切面(cross-section)、晶粒相差特性分析、微机电样品加工及TEM试片制作等…应用功能。

 

FIB 电路修补

无锡“芯火”提供先进制程28/20/16 nm 电路修补服务。工程团队拥有电路修改丰富经验与专业，搭配尖端的聚焦式离子束显微镜(FIB)提供电路线路修改服务，协助客户快速进行线路修改，达成IC布局验证的目的，且可节省IC设计原型(prototype) 验证时间，加快其产品上市时间 (Time-to-market )竞争力及节省开发时间与经费。提供多样化的服务内容，如不同制程金属绕线材料层(Cu / Al / Au) IC线路修补，点针垫层(Probing Pad)製作，WLCSP封装型式锡球底层电路线路修补(含重植锡球)，超低阻抗连线要求以及提供许多更先进的IC制程技术的分析服务。

 

FIB电路修补原理与应用

聚焦式离子束显微镜 (FIB) 是利用液相镓 (Ga) 金属的离子源，经由负电场 (Extractor) 牵引尖端细小的镓原子，而导出镓离子束(Ga+)再经由电磁透镜聚焦 (Lens1)，经由可选择的一连串孔径 (Automatic Variable Aperture, AVA) 决定离子束的能量大小，再经由二次聚焦 (Lens2) 至试片表面，利用物理碰撞来进行特定图案的加工照射于样品表面以取得影像或去除物质。搭配特殊有机气体可进行快速、有效的选择性蚀刻与沉积导体或非导体。其主要应用于IC电路修补(circuit edit)、局部横切面(cross-section)、晶粒相差特性分析、微机电样品加工及TEM试片制作等…应用功能。

 

利用聚焦式离子束显微镜 (FIB) 进行积体电路 (IC) 电路修补是最符合经济效益及快速验证的应用。以往 IC 电路设计错误，至少需耗时一个月等待光罩修改后的结果，不仅耗时且无法保证其修改后之正确性。利用聚焦式离子束显微镜(FIB)进行电路线路修改，不仅可帮助客户快速进行线路修改，达成IC布局验证的目的，且可节省IC设计原型(prototype) 验证时间，加快其产品上市时间 (Time-to-market )竞争力及节省开发时间与经费。

 

FIB电路修补分析应用范围

- IC线路修补和布局验证 (IC Circuit Editing and Verification)， 20nm制程 M1 

- WLCSP封装型式电路线路修补   (含重植锡球)

- 探针垫层制作(Probing Pad Preparation)，也可以有外引线

- 超低阻抗连线 （最低达1 ohm)

- GDS自动导航线路定位 (Auto-navigation to Designated Failure Address)

- 倒装封装Backside FIB，经验丰富及机台先进