该设备主要用来切割GaAs芯片上顶层金属，材料是金，厚度2~4um，线宽4um，留空地带10um以内。

镭射种类               ND:YAG Laser

镭射波长               532nm

切割区域               1um~50um

输出能量控制       1000 steps for 0-100%※Hi/Low switch-able