Power Discrete-Advanced PD ,30V-45V SGT DMOS

 发布日期:2021-09-02    访问量:1387

30V-45V SGT DMOS

新近开发成功的30V-45V的分立栅槽技术,采用电荷耦合的技术,极大地提升了单位面积的电流密度, 提升Rsp水平,减少栅极电荷。在快充和高效的同步整流中有广泛的应用。

Key Features

- SGT trench DMOS: N40V Rsp~8mΩ.mm2

 Application

- Power tools

- LEV

- Electric Toys

- Solar Inverter

- UPS

- Motor driver

- Fast charger adaptor

- Wireless adaptor


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